台積電連續10年營收創高，率先全球採用極紫外光（EUV）微影技術推動7奈米技術前進是關鍵因素之一，而事實上，獨家EUV設備供應商ASML（艾司摩爾科技）客戶包括眾多半導體巨頭，包括三星、英特爾、中國半導體業者等。
在台積電法說會上，EUV是近年不斷提到的微影製程名稱，也是現今能在晶片上畫出最精密線路的光罩技術，究竟微影技術是什麼？在神秘的半導體無塵室如何進行？這家全球最大微影設備供應商ASML用影像視覺揭露微影技術的真實樣貌。
ASML指出，在半導體製程中微影（Lithography）是驅使晶片效能更高、成本更低的關鍵技術。早期晶片可以容納數千個微米大小的電晶體（Transistor），目前最先進的晶片則是由數十億個電晶體組成的複雜網絡，其中最小的只有10奈米。
不過儘管摩爾定律不斷被質疑走到盡頭、縮小電晶體變得越來越困難，但是在抵達物理極限之前，ASML認為現今還是有發展的空間。
微影製程即是：用一台微影設備（Lithography），也稱作曝光機，也可以算是一種掃描儀器，將光透過光罩（Mask或Reticle），並利用ASML微影設備的光學系統將投影縮小並聚焦在感光矽晶圓上。
當光罩上的線路圖案（Patterns）轉印完後，機台會稍微移動晶圓，並將後續的線路圖案繼續轉印在同一片晶圓上。這個過程會一直重複直到晶圓佈滿線路圖案，便完成晶片的一層。要生產出完整的晶片，這個過程必須重複100次以上，將線路圖案疊加，形成積體電路(Integrated Circuit)。
線路圖案的尺寸大小取決於晶片各層，也就是說，晶片各層的曝光需要不同類型的微影設備。
ASML的EUV極紫外光機台專門曝光最複雜、精細的線路圖案，而DUV深紫外光微影設備就用來曝光「比較不這麼精密」的線路圖案。
責任編輯：蕭閔云
